[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法在审
| 申请号： | 201980016105.7 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113272939A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 安永拓哉;佐佐木宽;长谷征洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法。为了高精度地检测对样品台或者其内部的电极供给的高频电力的波形并使成品率和工作的效率提高，等离子体处理装置使用在配置于真空容器内部的处理室内形成的等离子体对配置于该处理室内的样品台的上表面载置的处理对象的晶圆进行处理，该等离子体处理装置具备：高频电源，在所述晶圆的处理中形成对所述等离子体或者晶圆以规定的周期脉冲状地供给的高频电力；判断器，根据以比所述周期长的间隔检测到的所述高频电力的电压或者电流的值来计算该电压或者电流的波形，判断该波形是否处于预先规定的允许范围内；和通知器，对使用者通知该判断器的判断结果以及该波形的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 工作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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