[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980016365.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111801804A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;藤田实;平林润;有马润 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司;TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;C30B29/16;C30B33/08;H01L21/329;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga |
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| 搜索关键词： | 沟槽 mos 型肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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