[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201980016758.5 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111801618B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宍戸博明;谷口和丈 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/34 | 分类号： | G03F1/34;C23C14/06;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n |
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| 搜索关键词： | 坯料 相移 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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