[发明专利]功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980017492.6 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111837241B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | L·克诺尔;A·米哈埃拉;L·克兰兹 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/16;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/861;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，功率半导体器件包括：宽带隙半导体层(1)，宽带隙半导体层沿着横向延伸并且包括有源区域(AR)和围绕有源区域(AR)的终端区域(TR)；第一凹陷部(9)，第一凹陷部在所述终端区域(TR)内从第一主侧(2)凹陷，第一凹陷部围绕有源区域(AR)；场板(5)，场板在宽带隙半导体层(1)的第一主侧(2)上，场板在终端区域(TR)内暴露宽带隙半导体层(1)的第一部分；以及第一凹陷部的侧壁(9e)，侧壁临近有源区域(AR)并与场板(5)的周向边缘(5e)横向地对准。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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