[发明专利]碳化硅单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201980017792.4 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111819311A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 池田均;松本雄一;高桥亨 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C14/06;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
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