[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980017866.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111819667A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 小笠原幸辅;山口贤太郎;伴瀬贵德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体，该两个处理是：将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理；和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外，在进行沉积的步骤中，对上部电极施加负极性的偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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