[发明专利]使用具有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法有效
| 申请号： | 201980017920.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111836691B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 渡边裕文;山本浩由;涩谷义孝;佐藤贤次;森冈理;千叶晶彦;青柳健大 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/16 | 分类号： | B22F1/16;B22F1/142;B22F10/28;B22F3/16;B33Y10/00;B33Y70/10;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 si 纯铜粉 制造 产品 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷客斯金属株式会社，未经捷客斯金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980017920.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氯胺酮的前药、其组合物和用途
- 下一篇：气体分析方法及装置
