[发明专利]半导体装置制造期间的晶片特性化数据的自相关及复合晶片度量的产生在审
申请号: | 201980018432.6 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN111868904A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | S·阿加瓦尔;H·科特埃斯瓦兰;P·贾因;S·穆鲁干;钟媛 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种系统,其包含控制器,所述控制器具有经配置以执行在存储于存储器中的一或多个程序指令集中体现的自相关模块的处理器。所述自相关模块经配置以引起所述处理器:接收一或多个图案化晶片几何结构度量;从一或多个特性化工具接收晶片特性化数据;确定所述一或多个图案化晶片几何结构度量与所述晶片特性化数据之间的相关性;基于所述经确定相关性产生所述一或多个图案化晶片几何结构度量的排序;基于所述一或多个图案化晶片几何结构度量的所述排序从所述一或多个图案化晶片几何结构度量的子集建构复合度量模型;从所述复合度量模型产生一或多个复合晶片度量;及基于所述一或多个复合晶片度量产生统计过程控制输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 期间 晶片 特性 数据 相关 复合 度量 产生 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造