[发明专利]用于制备基于碱金属的铁电材料薄层的方法在审
| 申请号： | 201980018546.0 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111837216A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | A·德鲁安 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;唐瑞庭 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产薄层(3)的方法，所述薄层(3)由基于碱的铁电材料组成，具有确定的居里温度，通过包括将轻物种植入供体衬底中以产生脆化平面的转移技术将所述薄层(3)从供体衬底转移至支持衬底，所述薄层(3)具有第一自由面和布置在支持衬底上的第二面。用于生产薄层(3)的方法包括在高于确定的居里温度的温度下对经转移的薄层(3)的第一热处理，在第一热处理之后，薄层(3)具有多畴特性，以及在第一热处理之后，将质子引入薄层(3)，然后在低于确定的居里温度的温度下对薄层(3)进行第二热处理，以产生用于使薄层(3)呈现单畴的内部电场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 基于 碱金属 材料 薄层 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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