[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980018676.4 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN111902383B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 阿闭恭平;西村升;永井明日美;胜田祐司 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C04B35/117 分类号: C04B35/117;H01L21/683
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量%以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的Al2O3的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此,能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
搜索关键词: 复合 烧结 半导体 制造 装置 部件 以及 方法
【主权项】:
暂无信息
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