[发明专利]13族元素氮化物层、自立基板、功能元件以及13族元素氮化物层的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980018739.6 申请日: 2019-02-14
公开(公告)号: CN111886368B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 坂井正宏;吉野隆史;今井克宏;仓冈义孝 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C23C14/08;C23C16/34;C30B19/04;H01L21/205;H01L33/16
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中,能够降低表面的位错缺陷,改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面,所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
搜索关键词: 13 元素 氮化物 自立 功能 元件 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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