[发明专利]具有自定心特征的两件式快门盘组件在审
| 申请号： | 201980018889.7 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111902922A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | C-H·蔡;A·朱普迪;S·巴布 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/22;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 此处提供使用于工艺腔室中的两件式快门盘组件。在一些实施例中，使用于工艺腔室中的快门盘组件包括：上部盘构件，所述上部盘构件具有顶部表面及底部表面，其中在底部表面的中心中形成中心对齐凹部；以及下部载具构件，所述下部载具构件具有：固体基底，所述固体基底具有上支撑表面，其中所述上支撑表面包括第一中心自定心特征，所述第一中心自定心特征设置于在底部表面的中心中形成的凹部中；以及环状外部对齐特征，所述环状外部对齐特征从下部载具的顶部表面向上突出且形成口袋部，其中上部盘构件设置于口袋部中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 定心 特征 两件式 快门 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980018889.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于还原过程的零价铁催化剂
- 下一篇：不接地的支持笔的设备上的触摸检测
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
