[发明专利]对用于半导体器件制造的处理部件的陶瓷表面进行激光抛光在审
申请号: | 201980019088.2 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN111902917A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刚·格兰特·彭;大卫·W·格罗歇尔;黄拓川 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/027;H01L21/56;H01J37/32;B23K26/352;H01L21/304;H01L21/321 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: |
本公开内容的实施方式提供了对陶瓷基板或陶瓷涂布的基板进行激光辅助改性(亦即,激光抛光)以期望地降低其表面粗糙度及孔隙度的方法。在一个实施方式中,一种激光抛光工件表面的方法包括用脉冲激光光束扫描工件表面的至少一部分。激光光束具有约50kHz或更大的脉冲频率以及约10mm |
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搜索关键词: | 用于 半导体器件 制造 处理 部件 陶瓷 表面 进行 激光 抛光 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造