[发明专利]光电子半导体芯片在审
| 申请号： | 201980019438.5 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111868942A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 安娜·斯特罗泽茨卡-阿西格;约翰尼斯·萨里奇 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/40;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚度，其中包含边界值。沿背离半导体层序列(2)的方向在覆盖层(31)后跟随有镜(3)的两个和十个之间的中间层(32，33，34，35)，其中包含边界值。中间层(32，33，34，35)交替地具有高折射率和低折射率。至少一个中间层(32，33，34，35)的光学厚度不等于L/4。沿背离半导体层序列(2)的方向在中间层(32，33，34，35)后跟随有镜(3)的至少一个金属层(39)作为反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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