[发明专利]检查掩模的方法与装置在审
申请号: | 201980019796.6 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN112055834A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | T.特劳茨施;T.米尔德;J.F.布伦里赫;M.莱恩格尔;U.布特格雷特;D.西马科夫;H.塞茨;T.塔勒 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G01N21/956;G01N23/2055 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明关于检查掩模的方法及装置,其中方法包含以下步骤:测量由于在至少一个衍射级的衍射而在光瞳平面中在照明掩模上存在的掩模结构(11,21)时产生的第一强度分布(14,24),其中该衍射级为第+1级衍射、第‑1级衍射或更高级的衍射;测量由于在该衍射级的衍射而在光瞳平面中在照明参考结构(10,20)时产生的第二强度分布(13,23);以及基于第一强度分布和第二强度分布之间的差异,识别该掩模上所存在的掩模结构的横向偏移或局部间距变化的至少一个区域。 | ||
搜索关键词: | 检查 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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