[发明专利]用于使用经校准的修整剂量校正关键尺寸的方法在审
| 申请号： | 201980019971.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111919283A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 安东·德维利耶;罗纳德·纳斯曼;杰弗里·史密斯 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/56;H01L21/67;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高岩;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中的技术包括处理和系统，通过所述处理和系统可以减轻或校正可再现的CD变化图案，以经由分辨率增强从微加工的图案化工艺中产生期望的CD。识别跨一组晶片的CD变化的可重复部分，然后生成校正曝光图案。直写式投射系统使这种校正图案作为分量曝光、增强曝光或部分曝光而曝光在基板上。常规的基于掩模的光刻系统执行作为第二分量曝光或主要分量曝光的初级图案化曝光。两个分量曝光在组合时增强图案化曝光的分辨率以在无需对每个晶片进行测量的情况下改善正在被处理的基板上的CD。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 校准 修整 剂量 校正 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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