[发明专利]制造用于生产三维集成结构的供体衬底的工艺及用于制造这种集成结构的工艺在审
| 申请号： | 201980019973.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111868915A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | G·戈丹;D·兰德鲁;B·吉塞伦 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产供体衬底(20)的方法，所述供体衬底(20)用于制造三维集成结构(40)，所述方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底(10)，所述半导体衬底(10)包括称为有源层的表面层(14)和包括多个空腔(12)的层(11)，所述空腔(12)在有源层下方延伸，每个空腔(12)通过隔离体(13)而与相邻的空腔分隔开，‑在与空腔(12)垂直的有源层(14)的区域(14A)中形成电子装置(15)，‑在有源层(14)上沉积保护掩膜(17)，以覆盖所述电子装置(15)，而同时暴露与每个隔离体(13)垂直的有源层的区域(16)，穿过被掩膜暴露的有源层的区域而植入原子物种，以在每个隔离体(13)中形成弱化区域(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 生产 三维 集成 结构 供体 衬底 工艺 这种 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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