[发明专利]个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列及形成此类阵列的方法在审

专利信息
申请号: 201980020589.2 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN111886692A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: D·V·N·拉玛斯瓦米 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;G11C5/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明揭示一种个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列,其包括第一层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列。在所述第一层级上方的第二层级中,存在晶体管字线的行。在所述第二层级上方的第三层级中,存在电容器的行及列。在所述第三层级上方的第四层级中,存在晶体管字线的行。在所述第四层级上方的第五层级中,存在数字线及导电屏蔽线的交替列。本发明揭示其它实施例及方面,包含方法。
搜索关键词: 个别 包括 电容器 晶体管 存储器 单元 阵列 形成 方法
【主权项】:
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