[发明专利]垂直transmon量子位器件

摘要

一种芯片表面基底器件结构(300)包括物理耦合到晶体衬底(206A，206B)的第一超导材料(112)，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料(304B)，其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底(102)。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒以及该第二超导材料。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，该transmon量子位包括该垂直约瑟夫逊结以及在该第一超导材料与该第二超导材料之间形成的电容器。