[发明专利]层转移方法在审
| 申请号： | 201980021411.X | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111902927A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | D·贝尔哈切米 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王万影;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 层转移方法包括：提供初始基板的步骤，提供中间基板的步骤，将中间基板与初始基板连接的第一连接步骤，在初始基板连接至中间基板之后将初始基板减薄的步骤，提供最终基板的步骤，将经减薄的初始基板与最终基板连接的第二连接步骤，在第二连接步骤之后将中间基板脱离的步骤，其中，中间基板在打算连接至初始基板的表面上包括硅，初始基板在打算连接至中间基板的表面上基本不包括硅，通过在初始基板的基本不包括硅的表面上进行旋涂来沉积包括液态的甲基硅氧烷的第一即所谓的临时SOG型接合层，然后在第一连接步骤之前对该第一即所谓的临时接合层进行第一致密化热处理，第二连接步骤是经由第二SOG型接合层进行的，该第二SOG型接合层包括液态的硅酸盐或甲基倍半硅氧烷，并通过旋涂沉积，然后进行第二致密化热处理，并且其中，最终基板被设计成在应用超过300℃的热处理的情况下劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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