[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 201980021719.4 | 申请日： | 2019-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111902914A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 上田大;佐佐木悠太;塙洋祐;北川広明 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/10;F26B5/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理技术，它包含在衬底的上表面形成液膜并使其良好地凝固的程序。衬底处理方法包含：气氛控制工序，对形成有图案且附着有液体的衬底的正面供给干燥气体，使衬底的正面周边成为干燥气氛；凝固对象液供给工序，对衬底的正面供给凝固对象液；及凝固工序，使凝固对象液的液膜凝固而形成凝固体。气氛控制工序开始于凝固对象液的液膜形成之前，所述凝固对象液是在凝固对象液供给工序中供给至衬底的正面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
