[发明专利]光敏半导体组件及形成光敏半导体组件的方法在审
| 申请号： | 201980021856.8 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111902950A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曼纽尔·施密特 | 申请（专利权）人： | 威世半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭愿洁;彭家恩 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光敏晶体管，其具有：作为集电极层的第一导电类型的半导体衬底（10）；位于衬底上方的第一导电类型的低掺杂层（11），该层具有不同厚度的区域；位于低掺杂层（11）的至少部分区域上方的第二导电类型的半导体基极层（12）；以及位于基极层（12）的至少部分上方的第一导电类型的射极层（13），但射极层不在基极层（12）的特定部分的至少部分上方，所称特定部分位于低掺杂层（11）的较薄区域上方。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 半导体 组件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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