[发明专利]用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统在审
| 申请号： | 201980023620.8 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111937072A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 宋润洽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L21/66;H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统，所述应力评估方案用于检查自旋转移矩磁性随机存取存储器(STT‑MRAM)的磁性隧道结(MTJ)单元的膜质量，其中，双极性信号和包括单极性空穴(正极性)和单极性电子(负极性)的单极性信号被同时施加到同一MTJ单元，然后根据周期间隙的比较的结果，具有厚度约1nm的薄膜的质量可被检查。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检查 stt mram 中的 缺陷 mtj 单元 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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