[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980023669.3 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111954924A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 中泽成哉;春山沙和 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括：具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层、形成于上述第一主面的半导体元件、隆起部群、以及形成于上述第二主面的与上述隆起部群连接的电极，上述隆起部群包括在上述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部且具有多个上述隆起部中的数个上述隆起部在从作为上述第二主面的面方向之一的第一方向看去的第一方向观察时相互重叠的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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