[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法在审
申请号: | 201980023692.2 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN111937103A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 国吉太 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F7/06;B22F9/08;B23K35/28;B23K35/30;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备组成不同的多个R1-T-B系烧结磁体原材料的工序;准备含有65质量%以上97质量%以下的R2和3质量%以上35质量%以下的M,且利用雾化法制作的R2-M合金粉末的工序;和在上述多个R1-T-B系烧结磁体原材料之间配置上述R2-M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将上述多个R1-T-B系烧结磁体原材料接合的工序。 | ||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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