[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980023692.2 申请日: 2019-02-22
公开(公告)号: CN111937103A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 国吉太 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F7/06;B22F9/08;B23K35/28;B23K35/30;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备组成不同的多个R1-T-B系烧结磁体原材料的工序;准备含有65质量%以上97质量%以下的R2和3质量%以上35质量%以下的M,且利用雾化法制作的R2-M合金粉末的工序;和在上述多个R1-T-B系烧结磁体原材料之间配置上述R2-M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将上述多个R1-T-B系烧结磁体原材料接合的工序。
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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