[发明专利]产生局部电场的方法在审
| 申请号： | 201980024440.1 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111954808A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 克沙夫·莫雷什瓦·丹尼;迈克尔·卡·伦·曼;E·莱恩·王 | 申请（专利权）人： | 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于以超快时间级重新分布光激发电子并在光斑内产生局部电流的系统和方法，以实现对光电现象的高速、高分辨率控制。选择地解决分布内光激发电子的子群是必要的。通过利用超快光脉冲中的空间强度变化，在掺杂半导体的光激发斑内产生局部表面场，该局部场将光激发电子拉成两个单独的分布。可以通过光激发脉冲的空间曲线和强度来控制此重新分布过程。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 局部 电场 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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