[发明专利]功率半导体芯片上的材料减少的金属板在审
申请号: | 201980024501.4 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN111937127A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | F·莫恩;A·索科洛夫;柳春雷 | 申请(专利权)人: | ABB电网瑞士股份公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 王其文;张涛 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 功率半导体模块(10)包括具有金属化层(18)的衬底(12);功率半导体芯片(14),其结合到衬底(12)的金属化层(18);以及金属板(24),其与衬底(12)相反地结合到功率半导体芯片(14)。金属板(24)具有边界(36),该边界(36)以这种方式被构造使得与金属板(24)的中央部分(34)相比,金属板(24)在边界(36)处具有更少的每单位面积金属材料。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 芯片 材料 减少 金属板 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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