[发明专利]用于基板的激光辅助金属化的系统在审
申请号: | 201980024637.5 | 申请日: | 2019-04-05 |
公开(公告)号: | CN112243537A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 吕珮玄;本杰明·I·赫西亚;乔治·G·科雷奥斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L21/02;B08B1/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;李赛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于制造太阳能电池的系统。所述系统包括以下项中的一者或多者:激光辅助金属化图案形成单元,所述激光辅助金属化图案形成单元适于将定位在基板上方的金属箔暴露于激光束以在所述基板上形成包括局部沉积的金属的导电接触结构;碎屑去除单元,所述碎屑去除单元适于从附接至基板的顶表面的金属箔的顶表面去除碎屑;载体附接单元,所述载体附接单元适于将载体附接至所述金属箔的一个顶表面;以及金属去除单元,所述金属去除单元适于去除所述金属箔的至少一部分及所述载体。 | ||
搜索关键词: | 用于 激光 辅助 金属化 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的