[发明专利]半导体结构的基于模型的重构在审
| 申请号： | 201980024817.3 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111989619A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 庄淙斌;S·S·A·M·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 闫红 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过以下步骤确定制备在衬底上的结构的性质的方法和设备：根据所述结构的测量光瞳图像的像素来确定测量特性，所述测量特性包括比射手测量光瞳图像更少的信息；生成与所述测量特性相对应的初始的模拟特性，并且所述模拟特性基于所述结构的候选模型；在迭代法中比较所述测量特性与所述模拟特性，直到所述测量特性与所述模拟特性之间的差小于粗阈值为止；基于作为所述候选模型的所述粗模型生成初始的模拟光瞳图像；在迭代法中比较所述测量光瞳图像的至少一部分与所述模拟光瞳图像的至少一部分，直到所述测量光瞳图像的至少一部分与所述模拟光瞳图像的至少一部分之间的差小于精阈值为止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 基于 模型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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