[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，其包含：第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；第三半导体层，所述第三半导体层为第二导电型，形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面，并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间；第四半导体层，所述第四半导体层为第二导电型并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接；以及第一电极，所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧与所述第四半导体层电连接，其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度，并且所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。