[发明专利]纳米间隙电极、其制造方法以及具有纳米间隙电极的纳米器件在审
| 申请号： | 201980025414.0 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111989775A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 真岛豊;崔伦永;权雅璘 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;B82Y10/00;B82Y40/00;C23C18/42;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/06;H01L29/66;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 梁志文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米间隙电极，包括：第一电极，所述第一电极包括第一电极层和第一金属粒子，所述第一金属粒子配置在第一电极层的一个端部上；以及第二电极，所述第二电极包括第二电极层和第二金属粒子，所述第二金属粒子配置在第二电极层的一个端部上。第一金属粒子与第二金属粒子之间具有间隙且第一金属粒子与第二金属粒子相对地配置，第一金属粒子及第二金属粒子的一端至另一端的最大宽度为小于等于10nm，第一金属粒子与第二金属粒子之间的间隙的长度为小于等于10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 间隙 电极 制造 方法 以及 具有 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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