[发明专利]多孔基质中的核自旋超极化有效
| 申请号： | 201980025672.9 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111971569B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | E·布雷纳特;J·马顿斯;F·托莱勒;P·L·H·维洛伊;J-M·泰伯恩;J·坎普夫 | 申请（专利权）人： | 布鲁克法国股份公司 |
| 主分类号： | G01R33/28 | 分类号： | G01R33/28 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;郑建晖 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种增强目标分子(10)的核自旋极化的方法，其使用与目标分子(10)共限域于多孔分子基质(20)中的超极化的源材料(12)。所述基质(20)可为具有适当直径的凹槽的D4R‑聚硅氧烷共聚物，例如polyoligosiloxysilicone 2号(PSS‑2)。将源材料(12)(如仲氢)与目标分子(10)一起转移至基质(20)，施用外部压力以迫使它们进入基质(20)的凹槽。将源材料(12)和目标分子(10)一起进行纳米限域，使自旋极化从源材料(12)到目标分子(10)的转移得以实现或增强。当从基质(20)移出目标分子(10)时，增强的自旋极化大大增强了目标分子(10)在任意后续磁共振测量中的信号强度。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 基质 中的 自旋 超极化 | ||
【主权项】：
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