[发明专利]等离子体扩散设备和系统及在处理炉中扩散等离子体的方法

摘要

一种扩散等离子体的装置和方法，其允许在较大的处理腔室压力范围内进行等离子体蚀刻。等离子体源，例如线性感应等离子体源，可以被阻塞以改变等离子体源内的背压。然后可以在偏转盘周围扩散等离子体源，所述偏转盘在圆顶下扩散等离子体，这样就可以在基板的表面上实现非常均匀的等离子体蚀刻速率。该设备可以包括位于等离子体扩散部分上面的线性感应等离子体源，所述等离子体扩散部分在水平配置的晶片或其他衬底上扩散等离子体。衬底支撑件可以包括适于增强蚀刻的加热元件。