[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
| 申请号： | 201980026265.X | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111989765A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘明;赤西勇哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/02;C23F1/00;C23G1/00;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理方法具备有：使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液的工序(步骤S12)；以及对在主表面(即上表面)上形成有第一金属部以及接触到第一金属部的第二金属部的基板供给低氧处理液并进行上表面的处理的工序(步骤S14)。在步骤S14中，使低氧处理液接触到第一金属部与第二金属部之间的界面，由此抑制比第一金属部还贵的第二金属部中的氧还原反应并抑制第一金属部的溶解。依据该基板处理方法，能适当地抑制基板上的金属部(即第一金属部)的溶解。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
