[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980027282.5 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112041825A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;加藤清;木村肇;宫口厚;井上达则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06F12/0893 | 分类号： | G06F12/0893;G11C5/14;G11C7/04;G11C11/405;G11C11/4074;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够改变存储装置的各层次的存储区域的半导体装置。一种半导体装置，包括具有第一及第二存储电路的存储装置及控制电路。第一存储电路包括第一电容器及具有保持第一电容器所保持的电荷的功能的第一晶体管，第二存储电路包括第二晶体管、电连接到所述第二晶体管的栅极的第二电容器及具有保持第二电容器所保持的电荷的功能的第三晶体管。第一及第三晶体管包括具有氧化物半导体的半导体层、栅极及背栅极。通过调整施加到第一或第三晶体管的背栅极的电压来改变第一或第二存储电路中的各存储区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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