[发明专利]带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法在审
| 申请号： | 201980027771.0 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112020761A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 山田拓 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01J37/147;H01J37/305 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在抑制计算量的同时高精度地进行漂移修正。本发明的一个实施方式的带电粒子束描绘装置具备：放射带电粒子束的放射部；调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置的偏转器；根据描绘数据，生成包含每次照射的照射尺寸、照射位置以及粒子束通断时间的照射数据的照射数据生成部；针对上述带电粒子束所要照射的每个预定的区域、或者所要照射的上述带电粒子束的每个预定的照射数，参照多个上述照射数据，基于上述照射尺寸、上述照射位置以及上述粒子束通断时间，算出朝上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量，并基于该漂移量生成对照射位置偏移进行修正的修正信息的漂移修正部；以及基于上述照射数据以及上述修正信息来控制由上述偏转器产生的偏转量的偏转控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 描绘 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
