[发明专利]电吸收调制器在审
| 申请号： | 201980028386.8 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112204459A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 余国民;A·J·齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/025 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 瞿文慧;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电子设备，包括：绝缘体上硅（SOI）衬底，衬底包括：硅支撑层；在硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物（BOX）层；以及在BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中硅设备层的一部分和BOX层的在该设备层的该部分下方的一部分已经被去除，BOX层的该部分已经用在硅的顶部上的结晶氧化物的层和硅层替代；以及波导结构，其直接位于结晶氧化物层的顶部上，波导结构包括P掺杂区和N掺杂区，P掺杂区和N掺杂区中间具有本征区，从而产生PIN结，跨PIN结能够施加偏压以产生调制区。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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