[发明专利]磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长在审
| 申请号： | 201980030071.7 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN112119481A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 常瑞华;王嘉星;邵宥楠;埃米尔·科列夫 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L33/10;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;钟海胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，其中，在生长工艺之后进行覆盖工艺，在所述覆盖工艺中，将含荧光体材料覆盖层沉积在最终的基于GaAs的层上。能够从反应室中移出容纳许多此类衬底的晶片，以在以后的时间继续处理而无需在最终的基于GaAs的层上产生氧化层。在连续处理中，分解工艺选择性地分解含荧光体材料覆盖层，此后进行再生长工艺以生长所述器件结构的其它层。在器件制造期间，所述覆盖工艺、分解工艺和再生长工艺能够在晶片上的半导体器件上重复多次。 | ||
| 搜索关键词： | 磷砷化镓包覆 材料 砷化镓 衬底 外延 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
