[发明专利]嵌入式封装中的应力缓冲层在审
申请号: | 201980030258.7 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN112074934A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 金宇灿;松浦正光;升本睦;青屋建吾;阮厚青;维韦克·基肖尔昌德·阿罗拉;阿宁迪亚·波达尔 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所公开的原理提供了应力缓冲层(430),所述应力缓冲层位于IC裸片(415)和用于从所述裸片(415)散热的散热器(425)之间。所述应力缓冲层(430)包含分布的成对导电焊盘(445)和形成在所述导电焊盘(445)上的相应的一组导电柱(450)。在一个实施例中,所述应力缓冲层(430)可以包含横向分布在嵌入式IC裸片(415)的非导电表面上的导电焊盘(445),以从所述IC裸片(415)热传导热量。此外,此应力缓冲层(430)可以包含导电柱(450),所述导电柱横向分布并直接形成在所述导电焊盘(445)中的每一个上。所述导电柱(450)中的每一个从对应的导电焊盘(445)热传导热量。此外,每个导电柱(450)的横向宽度可以小于其相应导电焊盘(445)的横向宽度。然后,散热器(425)形成在所述导电柱(450)上,所述导电柱通过所述散热器(425)从所述导电柱(450)热传导热量。 | ||
搜索关键词: | 嵌入式 封装 中的 应力 缓冲 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造