[发明专利]用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物在审

专利信息
申请号: 201980031094.X 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN112105757A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: S·N·叶达弗;O·比尔;唐瀛;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 申请(专利权)人: 恩特格里斯公司
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;H01J37/317;H01J37/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 李婷
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体的混合物递送到离子植入装置的方法和总成,因此H2以所述气体混合物的25%到67%(体积)范围内的量存在,或GeF4和H2以3:1到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。所述H2气体在混合物中的使用量或相对于所述GeF4气体的使用量防止阴极材料挥发,由此改良所述离子植入装置的性能和使用寿命。根据本公开的气体混合物也在离子植入程序期间产生显著的Ge+电流增益和W+峰减小。
搜索关键词: 用于 离子 植入 系统 氟化 氢气 混合物
【主权项】:
暂无信息
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