[发明专利]用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物在审
申请号: | 201980031094.X | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN112105757A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | S·N·叶达弗;O·比尔;唐瀛;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;H01J37/317;H01J37/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF |
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搜索关键词: | 用于 离子 植入 系统 氟化 氢气 混合物 | ||
【主权项】:
暂无信息
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