[发明专利]集成电路中的薄膜电阻器及制造方法在审
| 申请号： | 201980031505.5 | 申请日： | 2019-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN112119511A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | Y·冷;B·哈姆林;A·泰勒;J·范德丽特;J·萨托 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法包括：在衬底上形成TFR元件；使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及在形成该TFR元件并将其退火之后，形成与该TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。通过在该TFR头之前形成该TFR元件，该TFR元件可以在不影响该TFR头的情况下进行退火，并且因此可以由具有不同退火特性的各种材料(例如SiCCr和SiCr)形成。因此，该TFR元件可以进行退火以实现接近0ppm的TCR，而不影响稍后形成的TFR头。可以使用镶嵌CMP方法并且仅使用单个添加的掩模层来形成该TFR模块。此外，可以去除或消除在该TFR元件边缘处竖直延伸的“脊”，以进一步改善该TCR性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 薄膜 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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