[发明专利]大型光掩模在审
| 申请号： | 201980032507.6 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN112119352A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 今野冬木;三好建也 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/58 | 分类号： | G03F1/58;G03F1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种大型光掩模，其特征在于，其为包含透光性基板、及设于上述透光性基板的表面的遮光图案的大型光掩模，上述遮光图案具有第1低反射膜、遮光性膜及第2低反射膜自上述透光性基板侧起按照该顺序层叠而成的层叠结构，且上述遮光图案的上述透光性基板侧的面对313nm～436nm的波长区域的光的反射率为8％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 大型 光掩模 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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