[发明专利]晶核层的沉积方法有效
| 申请号： | 201980032612.X | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN112135933B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | C.M.莫德 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李萌 |
| 地址： | 德国黑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种直接在基板(1)的表面(2)上沉积晶核层(3)的方法，所述晶核层由第III主族和第V主族元素构成，所述基板由第IV主族元素构成，其中，含有第III主族元素的第一气态原料连同含有第V主族元素的第二气态原料在大于500℃的处理温度下被置入包含基板(1)的处理室(8)中。本质上，至少在开始沉积晶核层(3)时，第一和第二气态原料连同含有第IV主族元素的第三气态原料被输入到处理室(8)中，在沉积出的第III‑V主族晶体中施加n掺杂物，其中在掺杂物浓度小于1x10 |
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| 搜索关键词： | 晶核 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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