[发明专利]检查装置和温度控制方法在审
| 申请号： | 201980032631.2 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN112119487A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 河西繁;藤泽良德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的检查装置包括：能够载置形成有电子器件的基片载置台，其中，与基片侧相反的一侧由光透射材料形成，并且具有供可透射光的致冷剂流过的致冷剂流路；光照射机构，其以与载置台的跟基片侧相反的一侧对置的方式配置，具有面向基片的多个LED；和控制部，其控制由该致冷剂进行的吸热和由LED进行的加热，控制作为检查对象的电子器件的温度，该控制部具有：温度信息获取部，其获取检查对象的温度的信息；加热控制部，其通过基于当前检查对象的温度的闭环控制，进行LED对检查对象的加热的控制；吸热控制部，其基于过去的检查中的电子器件的温度的变迁，推断下次检查时对检查对象施加的电功率的变迁，通过基于推断出的电功率的变迁的开环控制，进行下次检查时的致冷剂从检查对象的吸热的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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