[发明专利]一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法在审
| 申请号： | 201980032816.3 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112513342A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 唐慧丽;徐军;赵衡煜;何诺天;李东振;王东海 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/16 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供的一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法，包括以下步骤：放置β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体 坩埚 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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