[发明专利]致密高能离子植入系统在审
| 申请号： | 201980033100.5 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112136200A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·辛克莱 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H05H9/04;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 高能 离子 植入 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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