[发明专利]用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法

摘要

本发明涉及一种用于蚀刻工件的半导体层的一侧的装置，该装置包括：至少一个蚀刻池，用于容纳电解液；第一电极，被提供以用于在使用期间电接触蚀刻池中的电解液；至少一个第二电极，被提供以用于间接或直接与半导体层电接触；至少一个电功率源，用于导电地连接第一和第二电极，以产生蚀刻电流；以及至少一个运送装置，用于相对于蚀刻池来运送工件，使得在使用期间要蚀刻的半导体层蚀刻侧能通过蚀刻池中的电解液进行润湿。本发明的特征在于，运送装置具有用于工件的负压保持元件，该负压保持元件构造成通过负压将工件布置在与蚀刻侧相对的保持侧上，且第二电极设置在该负压保持元件上，使得在工件设置在负压保持元件上时通过第二电极接触工件的保持侧。本发明还涉及用于蚀刻工件的半导体层的一侧的方法。