[发明专利]抛光头及使用其的晶片抛光装置及抛光方法在审
| 申请号： | 201980033238.5 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN112292750A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 中野裕生;杉森胜久;小佐佐和明;梶原治郎;山本胜利;木原誉之;寺川良也 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/30;B24B37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱美红;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于抑制晶片外周部的抛光压力的起伏而实现高平坦化。其解决方案为，本发明的晶片抛光装置的抛光头(10)具备能够独立地控制用于按压晶片(W)的中心部的中心部控制压力(Pc)与用于按压晶片(W)的外周部的外周部控制压力(Pe)的膜头(16)、与该膜头(16)连为一体以构成膜头(16)的外周部的外环(17)及设置在膜头(16)的外侧的接地型保持器圈(14)，膜头(16)具有控制中心部控制压力(Pc)的单室结构的中心部压力室(R1)及设置在中心部压力室(R1)的上方且控制外周部控制压力(Pe)的外周部压力室(R2)，外环(17)的下端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧底面(S1)的位置，外环(17)的上端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧上表面(S2)的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 使用 晶片 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
