[发明专利]碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201980033272.2 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112166210B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 大矢信之 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/12;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅单晶制造装置具备：筒形状的坩埚(9)，具有构成反应室的中空部；台座(10)，被配置在坩埚的中空部内，在一面设置SiC单晶(6)的生长用的籽晶(5)，并且配置籽晶的一面为圆形状。此外，具备：气体供给机构(2、3)，从比台座靠下方向籽晶的表面供给用来使SiC单晶生长的SiC原料气体(3a)；以及加热装置(12)，将SiC原料气体加热并分解。并且，具备：旋转机构(11)，通过使台座旋转，从而一边使籽晶旋转一边进行SiC单晶的生长；使台座的中心轴从该台座的旋转中心(R)偏心。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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