[发明专利]在SOI平台上光子部件的集成在审
| 申请号： | 201980033299.1 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN112219158A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 余国民;A·J·齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/015 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨子硕;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电有源器件，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括硅基底层、在所述硅基底层的顶部上的掩埋氧化物(BOX)层、在所述BOX层的顶部上的绝缘体上硅(SOI)层和衬底空腔，所述衬底空腔延伸穿过所述SOI层、所述BOX层并延伸到所述硅基底层中，使得所述衬底空腔的基部由所述硅基底层的一部分形成；光电有源波导，所述光电有源波导包括在所述衬底空腔内的光电有源堆叠体；以及缓冲区域，所述缓冲区域在所述衬底空腔内处于所述光电有源波导下方，所述缓冲区域包括Ge层和GaAs层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 平台 光子 部件 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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